Tom’sHardware که بزرگترین سازندهی تراشهی مستقل در جهان است، اخیراََ برنامههای خود را برای ساخت قطعات ۲ نانومتری ارائه کرده است و انتظار میرود تا سال ۲۰۲۶، ارسال تراشههای به مشتریان آغاز شود.
نسل بعدی چیپستهای تولیدشده با استفاده از فرآیند ۳ نانومتری تا سال آینده بهطور گسترده در گوشیهای هوشمند و سایر دستگاههای تلفن همراه، استفاده نخواهند شد. اما زمانی که شما در زمینهی تولید چیپستهای پیچیده با میلیاردها ترانزیستور فعالیت میکنید، مجبور هستید تا از سالها قبل شروع به ساخت کارخانهها و سایر امکانات کنید.
معمولاََ، هرچه گرهی فرآیندها کوچکتر باشد، ترانزیستورهایی که داخل تراشه قرار میگیرند، بیشتر خواهد بود. با افزایش تعداد ترانزیسترها داخل تراشه مانند تراشهی A15 bIONIC که دارای ۱۵ میلیارد ترانزیستور در مقایسه با ۱۱.۸ میلیارد ترانزیستور داخل تراشهی A14 Bionic است، تراشهها قدرتمندتر و درعینحال کممصرف تر میشوند.
این هفته، مدیرعامل TSMC در مورد برنامههای خود برای ساخت گرهفرآیند ۲ نانومتری خود به نام N2 صحبت کرد. وی تأیید کرد که ترانزیستورهایی که TSMC با قطعات ۲ نانومتری خود از آنها استفاده خواهند کرد، گیتهای همهجانبه خواهند بود. همچنین، این شرکت به لیتوگرافی فرانبفش افراطی تکیه خواهد کرد تا آنها را با الگوهای مداری مورد نیاز برای قرار دادن میلیاردها ترانزیستور در داخل هر قالب از تراشهها، مشخص کند.
TSMC تراشهی A15 Bionic مورد استفادهی اپل را در سری آیفون 13 میسازد.
مدیر ارشد این کارخانه در بیانیهی خود اضافه کرد:
توسعهی N2 در مسیر است، از جمله ساختار ترانزیستور جدید و پیشرفته که در حد انتظار ما است. تنها چیزی که قصد داریم بگویم، این است که بله در پایان سال ۲۰۲۴، شما وارد تولید ریسکپذیری خواهید شد. برنامهی ما این است تا در سال ۲۰۲۵ تولید شود؛ احتمالاََ در نیمهی دوم یا پایان سال ۲۰۲۵.
مشتریان TSMC که شامل اپل نیز میشوند، دریافت تراشههای ۲ نانومتری را در سال ۲۰۲۶ آغاز خواهند کرد. در حالی که شرکت TSMC از ترانریستورهای GAA برای حالت ۲ نانومتری خود استفاده میکند، به استفاده از FinFET برای تولید ۳ نانومتری ادامه خواهد داد. این در حالیست که سامسونگ از GAA برای تراشههای ۳ نانومتری خود استفاده کرد. بنابراین میتوان گفت تا زمانی که TSMC شروع به استفاده آن برای تراشههای ۲ نانومتری کند، کارخانهی سامسونگ با استفاده از GAA شورع به فعالیت خواهد کرد.
علیرغم پیشروی ۲ الی ۳ سالهی سامسونگ، Wei از TSMC میگوید که نسل اول GAA بهترین فناوری موجود خواهد بود. وی دراینباره گفت:
ما انتظار داریم تا N2 بهترین فناوری باشد که بلوغ، عملکرد و هزینه را برای مشتریان ارائه میکند. ما مطمئن هستیم که N2 رهبری فناوری ما را برای حمایت از رشد مشتری ادامه خواهد داد.
در مقایسه با ساموسنگ و اینتل، شرکت TSMC با سرعت بیشتری برای تولید تراشههای ۲ و ۳ نانومتری خود فعالیت میکند. همانطور که ما گفتیم، در حال حاضر سامسونگ بهدنبال استفاده از GAA برای گرهفرآیند ۳ نانومتری خود بر روی تراشههایی است که در سال آینده برای مشتریان ارسال میشوند. اینتل نیز قصد دارد تا از نوعی ترانزیستور GAA به نام Ribbon FET در ترکیب با دستگاه لیتوگرفی جدید ASML استفاده کند.
TSMC همچنان معتقد است که FinFET چند سال دیگر نیازی به تغییر معماری ترانزیستورهای خود، فاصله دارد. این شرکت هر دو سال یک بار به گرهفرآیند جدیدتر بهروز میشود که هر سه سال، گسترش میبایبد. TSMC میتواند با گسترش هر گره با پیشرفتهای خود، از شر این مشکل خلاص شود. با اینحال، بهنظر میرسد رقبای آنها تهاجمیتر هستند و این امری معمولی است، چراکه رهبر هر صنعتی، قطعاََ هدفی در پشتصحنه دارد.
اینتل در انجام پیشبینیهای آینده، بسیار تهاجمی بوده است. در ماه اکتبر، پت گلسینگر، مدیر اجرایی اینتل گفت که شرکت او رهبری فرآیند را در دوباره در این صنعت بهدست خواهد آورد و تا سال ۲۰۲۵، از TSMC و سامسونگ، مسئولیت خواهد گرفت.
گلسینگر در مورد قانون مور، مشاهداتی که توسط فیرچایلد و یکی از بنیانگذاران اینتل، گوردون مور انجام شد و خواستار دوبرابر شدن تعداد ترانزیستورهای تراشه به صورت یک سال در میان است، گفت:
قانون مور، زنده و سالم است. ما امروز پیشبینی میکنیم که قانون مور را برای دهههای آینده حفظ خواهد شد و حتی سریعتر از قبل پیش میرود. ما بهعنوان مباشران قانون مورد، در مسبر خود برای نوآوری بیامان خواهیم بود.
در نهایت، ما تا سال ۲۰۲۶ متوجه خواهیم شد که آیا پیشبینی گلسینگر تحقق مییابد یا خیر.