تقریبا یک هفته پیش بود که معلوم شد شرکت کوالکام قصد دارد تا تولید آخرین نسل از تراشههای پرچمدار خود، یعنی اسنپدراگون 8 نسل 1 را به شرکت سامسونگ واگذار کند تا با استفاده از فرایند 4 نانومتری این شرکت تولید شود.
در گذشته، کوالکام تولید تراشههای سری اسنپدراگون خود را مشترکا به دو شرکت سامسونگ و TSMC واگذار میکرد. برای مثال در سال 2017 بود که کوالکام تولید تراشه اسنپدراگون 835 را به سامسونگ واگذار کرد و این شرکت هم با استفاده از فرایند 10 نانومتری خود توانست که تراشهای با 3 میلیارد ترانزیستور را بسازد.
اگر درست به یاد داشته باشید، تولید تراشه اسنپدراگون 845 هم به سامسونگ سپرده شد و این شرکت هم با استفاده از فرایند 10 نانومتری خود آن را ساخت؛ اما در سال 2019 با چرخشی 180 درجهای، کوالکام تولید تراشه اسنپدراگون 855 و 855 پلاس را به TSMC واگذار کرد و این شرکت هم با استفاده از فرایند 7 نانومتری خود توانست که در آنها بیش از 6.7 میلیارد ترانزیستور را بهکار ببرد.
تراشههای سال 2020 کوالکام، یعنی اسنپدراگون 865 و 865 پلاس نیز به TSMC سپرده شد و این شرکت هم دو مرتبه از همان فرایند 7 نانومتری سال قبل خود با یک بهروزرسانی بزرگ استفاده کرد. این بهروزرسانی چیزی نبود جز بهکار بردن 10.3 میلیارد ترانزیستور در یک تراشه مربوط به گوشیهای هوشمند که تا آن زمان بیسابقه بود.
اما این روند تولید تراشههای کوالکام توسط TSMC ادامهدار نبود و در سال 2020 تراشههای اسنپدراگون 888 و 888 پلاس را سامسونگ با استفاده از فرایند 5 نانومتری خود ساخت. در این باید توجه کنیم که سامسونگ در این تراشهها توانست 10 میلیارد ترانزیستور را قرار دهد که 0.3 میلیارد کمتر از مدل سال قبل تولید شده توسط TSMC بود.
حال بر اساس گفتههای رسانه SamMobile ممکن است که تغییراتی در نقشه نهایی کوالکام ایجاد شده باشد. در این گزارش منتشر شده آمده است که کوالکام از بازدهی پایین تجهیزات تولید تراشههای 4 نانومتری سامسونگ به هیچ عنوان رضایت ندارد و احتمالا در صورت تداوم این موضوع، بخشی از تولید تراشههای خود را به TSMC واگذار خواهد کرد.
TSMC بزرگترین کارخانه مستقل تولید نیمههادیها است و برای شرکتهای بزرگی مثل اپل، مدیاتک، AMD، انویدیا و تعدادی دیگر تراشه تولید میکند. این شرکت همچنین ممکن است که وظیفه تولید تراشههای 3 نانومتری اینتل را هم برعهده بگیرد. این خبر در نگاه اول تعجب شما را در پی دارد، چرا که خود اینتل یکی از بزرگترین تولیدکنندگان نیمههادی در دنیاست، اما نکتهای که باید به آن توجه کنید، این است که اینتل در حال حاضر توانایی ساخت تراشههای 3 نانومتری خود را ندارد و شرکت دیگری باید این کار را برای او انجام دهد.
آیا تفاوت عمدهای بین تراشههای تولید شده توسط TSMC و سامسونگ وجود دارد؟یایd جواب این سؤال کمی تخصصی است؛ اما اگر بخواهیم بهصورت ساده بیان کنیم، باید بگوییم که بسیاری عقیده دارند فرایند تولید تراشههای TSMC نسبت به سامسونگ از نظر عملکرد و کارایی انرژی نسبتبه سامسونگ برتریهایی دارد. حال اگر کوالکام تصمیم بگیرد که تولید تراشه اسنپدراگون 8 نسل 1 را به دو شرکت واگذار کند باعث میشود تا دستگاههای ساخته شده با این تراشه از نظر عملکرد و مصرف انرژی با یکدیگر تفاوتهایی داشته باشند.
اپل در آن زمان راجعبه تفاوت عملکرد و مصرف تراشههایی که این دو شرکت گفته بود که از نظر عملکردی این دو تراشه با یکدیگر تفاوتی ندارند و تنها 2 تا 3 درصد از نظر مصرف انرژی متفاوت هستند. Consumer Reports در آن زمان تستهای مخصوص به خود را انجام داد و عنوان کرد که این تفاوت در زمینه مصرف انرژی کمتر از 2 درصد است، اما دیگر شرکتهایی که این تستها را انجام داده بودند، اعلام کردند که تراشههای ساخته شده توسط TSMC تفاوتهای بسیار واضحی در زمینه طول عمر باتری نسبتبه تراشههای ساخت سامسونگ دارند.
حال به نظر میرسد که کوالکام در وضعیتی کاملا مشابه با آن زمان قرار دارد. البته باید این را هم در نظر بگیریم که برخلاف اپل، تمامی تراشههای ساخته شده برای کوالکام توسط TSMC و سامسونگ کاملا از یک نوع فرایند بهره میبرند.
سامسونگ قصد دارد تا تراشه اگزینوس 2200 پرچمداران آینده خود را با استفاده از فرایند 4 نانومتری تولید کند. این فرایند 4 نانومتری همان چیزی است که سامسونگ با آن تراشه اسنپدراگون 8 نسل 1 را میسازد و اگر این مشکلات گفته شده حقیقت داشته باشند، تراشه اگزینوس 2200 به آن میزان که سامسونگ انتظار دارد تولید نخواهد شد.
در ادامه این کمبود تراشه، گوشیهای سری گلکسی S22 نیز احتمالا در بازار بهسختی پیدا خواهند شد. این کمبود احتمالی تراشه و گوشیهای سامسونگ میتواند بر هدف این شرکت مبنیبر در دست گرفتن بازار TSMC در سال 2030 تاثیر بهسزایی بگذارد. برای بازگشت به حالت عادی، سامسونگ تنها یک راه دارد و آن هم چیزی نیست جز افزایش بازدهی تولید تراشههایی که با استفاده از فرایند 4 نانومتری خود تولید میکند.